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参数目录42245
> PSMN1R6-30BL,118 MOSFET N CH 30V 100A D2PAK
型号:
PSMN1R6-30BL,118
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N CH 30V 100A D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PSMN1R6-30BL,118 PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1.9 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.15V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
212nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
12493pF @ 15V
功率 - 最大
306W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
剪切带 (CT)
其它名称
568-9481-1
查看PSMN1R6-30BL,118代理商
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